國內(nèi)傳感器還存在科技創(chuàng)新差，核心制造技術(shù)嚴重滯后于國外，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品少，品種不全，產(chǎn)品技術(shù)水平與國外相差15年左右；投資強度偏低，科研設(shè)備和生產(chǎn)工藝裝備落后，成果水平低，產(chǎn)品質(zhì)量差；科技與生產(chǎn)脫節(jié)，影響科研成果的轉(zhuǎn)化，綜合實力較低，產(chǎn)業(yè)發(fā)展后勁不足等問題。

　　到2012年，傳感器領(lǐng)域應(yīng)爭取實現(xiàn)三大戰(zhàn)略目標：

　　以工業(yè)控制、汽車、通訊、環(huán)保為重點服務(wù)領(lǐng)域，以傳感器、彈性元件、光學元件、專用電路為重點對象，發(fā)展具有自主知識產(chǎn)權(quán)的原創(chuàng)性技術(shù)和產(chǎn)品。以MEMS工藝為基礎(chǔ)，以集成化、智能化和網(wǎng)絡(luò)化技術(shù)為依托，加強制造工藝和新型傳感器和儀表元器件的開發(fā)，使主導產(chǎn)品達到和接近國外同類產(chǎn)品的先進水平。 以增加品種、提高質(zhì)量和經(jīng)濟效益為主要目標，加速產(chǎn)業(yè)化，使國產(chǎn)傳感器的品種占有率達到70%~80%，高檔產(chǎn)品達60%以上。

　　2012年傳感器發(fā)展重點

　　(1)MEMS工藝和新一代固態(tài)傳感器微結(jié)構(gòu)制造工藝；深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)工藝或IGP工藝、封裝工藝；如常溫鍵合倒裝焊接、無應(yīng)力微薄結(jié)構(gòu)封裝、多芯片組裝工藝;新型傳感器；如用微硅電容傳感器、微硅質(zhì)量流量傳感器、航空航天用動態(tài)傳感器、微傳感器；汽車專用壓力、加速度傳感器，環(huán)保用微化學傳感器等。

　　(2)集成工藝和多變量復合傳感器微結(jié)構(gòu)集成制造工藝，工業(yè)控制用多變量復合傳感器，如：壓力、靜壓、溫度三變量傳感器，氣壓、風力、溫度、濕度四變量傳感器，微硅復合應(yīng)變壓力傳感器，陳列傳感器。

　　(3)智能化技術(shù)與智能傳感器信號有線或無線探測、變換處理、邏輯判斷、功能計算、雙向通訊、自診斷等智能化技術(shù)，智能多變量傳感器，智能電量傳感器和各種智能傳感器、變送器。

　　(4)網(wǎng)絡(luò)化技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)化傳感器傳感器網(wǎng)絡(luò)化技術(shù);網(wǎng)絡(luò)化傳感器，使傳感器具有工業(yè)化標準接口和協(xié)議功能。